Силовая электроника тест МОИ

Силовая электроника тест МОИ

Тест Московского Открытого Института и Синергии «Силовая электроника» Цена 200р.

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:

от 25 до 100 мкс

Динамическими параметрами силового диода являются

время восстановления обратного напряжения

время нарастания прямого тока

При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде

резко увеличивается

Плоскостные диоды

имеют большую площадь p-n-перехода

используются для выпрямления больших токов

Точечные диоды

имеют малую площадь p-n-перехода

используются для выпрямления малых токов

Силовой диод содержит

один p-n-переход

 

В режиме лавинного пробоя силового диода

резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

катушку индуктивности

 

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна

произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации

 

К статическим параметрам силового диода не относится

время нарастания прямого тока

 

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если

напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде

Силовым диодом называется

полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами

 

Электрический пробой силового диода возникает, когда

обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога

Величина заряда обратного восстановления силового диода

прямо пропорциональна энергии обратного восстановления

Основная функция силового диода

выпрямление переменного сигнала

К предельно допустимым параметрам силового диода относится

импульсное обратное напряжение

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

600 В

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

предельное обратное напряжение более 100 В

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

прямой ток — в диапазоне от 10 до 1000 А

обратное напряжение от 50 до 3000 В

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

равно нулю

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

до 100 нс

К параметрам силовых диодов не относятся

потенциальные

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

кремний

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

стремится к бесконечности

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

высокими значениями обратного напряжения и прямого тока

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

в точке отсечки

в точке насыщения

В активном режиме работы биполярного транзистора

выходной ток равен входному току

выходной ток прямо пропорционален входному току

выходной ток обратно пропорционален входному току

К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся

максимально допустимый ток коллектора

ток обратного смещенного коллекторного перехода

Транзисторы Дарлингтона используют для

увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

одинаковые свойства и геометрические размеры

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы

эмиттер-база — в прямом направлении

коллектор-база — в прямом направлении

коллектор-база — в обратном направлении

эмиттер-база — в обратном направлении

Транзистор — это

полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами

 

В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется

эмиттер

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

току базы в насыщенном режиме

току коллектора в насыщенном режиме

току базы в граничном режиме

Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в

закрытом состоянии и характеризуется очень малым током

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

коллектор-база — в обратном направлении

эмиттер-база — в обратном направлении

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы

Выберите один или несколько ответов:

эмиттер-база — в прямом направлении

коллектор-база — в обратном направлении

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Выберите один ответ:

напряжение между базой и эмиттером равно нулю

напряжение между базой и коллектором меньше нуля

напряжение между базой и коллектором равно нулю

напряжение между базой и эмиттером меньше нуля

В основе биполярного транзистора лежит

трехслойная полупроводниковая структура

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

малой толщины базы

большой площади коллекторного p-n-перехода

В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить

зам¬кнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение

источником тока эмиттера, управляемого током базы

разом¬кнутым ключом

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

выделяемая мощность очень большая, а выходное напряжение очень низкое

выделяемая мощность и выходное напряжение очень большие

выделяемая мощность очень мала, а выходное напряжение высокое

В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения

Выберите один или несколько ответов:

инверсном

отсечки

индуктивном

импульсном

В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить

Выберите один ответ:

разом¬кнутым ключом

источником тока эмиттера, управляемого током базы

зам¬кнутым ключом

источником тока коллектора, управляемого током базы

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

напряжение перехода коллектор – база равно нулю

напряжение перехода коллектор – база меньше нуля

напряжение перехода база – эмиттер больше нуля

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

эмиттер-база — в обратном направлении

коллектор-база — в прямом направлении

В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить

источником тока коллектора, управляемого током базы

источником тока эмиттера, управляемого током коллектора

источником тока коллектора, управляемого током эмиттера

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется

коллектор

 

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме

с общей базой (ОБ)

Полевой транзистор в линейном режиме используется как

сопротивление, управляемое напряжением на затворе

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

МОП — транзисторы (металл -окисел-полупроводник)

транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)

транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)

МДП — транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник

Для изготовления высоковольтных DМОП — транзисторов с n-каналом используются

вертикальные структуры с высоколегированной подложкой n+ — типа

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

токов до 50 А и напряжения до 1000 В

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый

полностью управляемый электрическим полем прибор

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Выберите один или несколько ответов:

энергия потерь при выключении

выходная емкость

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

тепловое сопротивление переход-корпус

крутизна передаточной характеристики

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:

высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)

отсутствие вторичного пробоя

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно

с общим истоком (ОИ)

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

с индуцированным каналом

К недостаткам МОП-транзисторов относится

большое значение входной емкости

повышенное сопротивление в проводящем состоянии

В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью

электрического поля, перпендикулярного направлению тока

Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия

 

с управляющим p-n-переходом

с изолированным затвором

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют

более низкое сопротивление открытого канала

более высокое пробивное напряжение

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

составляет десятки Ом

составляет единицы Ом

равно нулю

очень велико

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

выходная емкость

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется

поперечным электрическим полем, а не током

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

VМОП — структуры

DМОП — структуры

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

максимально допустимый ток стока

крутизна передаточной характеристики

Особенностью МОП-транзисторов является

высокое входное сопротивление и высокое быстродействие

Качество МДП — структуры тем выше, чем

Выберите один или несколько ответов:

меньше паразитная емкость

выше крутизна передаточной характеристики

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

с проводным каналом

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

источник тока, управляемый напряжением на затворе

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

Выберите один ответ:

сток

затвор

подложку

исток

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

от 10 до 100 А/мкс

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

управляемые выпрямители тока

преобразователи переменного напряжения

Конструктивно симистор представляет собой

объединение двух встречновключенных тиристоров

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

включение осуществляется сигналом управления

выключение – при спаде тока через прибор до нуля

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

в прямом направлении

в обратном направлении

Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании

регулируемых электроприводов переменного тока

мощных источников питания электрических подстанций

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

интегрируемый запираемый тиристор IGTC

Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит

четыре p-n-перехода

три p-n-перехода

Запираемый тиристор GTO

управляется сигналами различной полярности

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

увеличивается до 1 и потом остается неизменным

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

время нарастания

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся

время выключения

время запаздывания обратного напряжения

Фототиристор – это фотоэлектронный прибор

Выберите один или несколько ответов:

имеющий четырехслойную структуру

управляемый световыми импульсами

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

полевой тиристор МСТ

тиристор GTC

Оптотиристор – это

фототиристор со встроенным в него светоизлучателем

Ассиметричный (обычный) тиристор содержит

четыре слоя с разным типом проводимости

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

интегральная схема управления

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

напряжение лавинного пробоя

напряжение переключения тиристора

Симистор – это тиристор, который может

пропускать ток в обоих направлениях

не пропускать ток в обоих направлениях

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

увеличивается до 1

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

быстрое выключение

В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,

переходы П1 и П3 смещаются в прямом направлении

переход П2 смещается в обратном направлении

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды

уменьшается до нуля

Для включения тиристора SCR необходимо

подать положительное напряжение между анодом и катодом

подать импульс управления на управляющий электрод

 

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает

биполярный транзистор с изолированным затвором

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает

биполярный транзистор с изолированным затвором

Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет

более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии

более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии

более низкое быстродействие

более высокое быстродействие

Как и МОП-транзистор СИТ транзистор

Выберите один или несколько ответов:

имеет горизонтальную структуру

является одноканальным

является многоканальным

имеет вертикальную структуру

В транзисторе IGBT сочетается

высокое входное сопротивление МОП-транзистора с высокой токовой нагрузкой

 

малое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора

SIT транзисторы производятся с каналами

p-типа

n-типа

Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ

обратно пропорциональна напряжению на затворе

прямо пропорциональна напряжению на затворе?

Силовые комбинированные приборы могут коммутировать

токи до 3,6 кА при напряжении до 6,5 кВ

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

n-p-n-типа

p-n-p-типа

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имею¬щих вертикальный канал, образуется паразитный

биполярный транзистор

Основные преимущества IGBT

по сравнению с полевыми транзисторами

меньшее напряжение в открытом состоянии

Высокой температурной устойчивостью не обладает

биполярный транзистор

IGBT транзистор не находит применение в области

высоких частот

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером

Статический индукционный транзистор СИТ может работать при

прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)

прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)

обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)

обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

не полное управление

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

биполярного транзистора

полевого транзистора с горизонтальным каналом

полевого транзистора с вертикальным каналом

униполярного транзистора

Быстродействие IGBT транзистора

ниже быстродействия полевых транзисто¬ров

выше быстродействия биполярных транзисторов

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

симистор

биполярные транзисторы с изолированным затво¬ром

полевой тиристор МСТ

транзисторы со статичес¬кой индукцией

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

входного биполярного n-p-n-транзистора

выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным за¬твором

выходного биполярного n-p-n-транзистора

входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным за¬твором

Ток стока IGBT транзистора

Выберите один или несколько ответов:

прямо пропорционален эквивалентной крутизне

обратно пропорционален эквивалентной крутизне

прямо пропорционален напряже¬ниюна затворе

обратно пропорционален напряже¬нию на затворе

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора

дополнительным слоем полупроводника p-типа

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между

коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером

Достоинства БСИТ по сравне¬нию с СИТ

напряжение отсечки имеет отрицательное значение

при отсутствии напряжения на зат¬воре БСИТ находится в закрытом состоянии

при отсутствии напряжения на зат¬воре БСИТ находится в открытом состоянии

на¬пряжение отсечки равно нулю

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

наличие участка вторичного пробоя-

высокая температурная устойчивость

отсутствие участка вторичного пробоя

низкая температурная устойчивость-

Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками

информации

энергии

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является

преобразователь частоты

В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение

Выберите один или несколько ответов:

биполярные транзисторы с изолированным затвором

биполярные транзисторы

силовые МОП-транзисторы

асинхронные тиристоры

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся

шунтирующие реакторы

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю

При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var

Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к

линейным системам

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

разъединителя и отделители

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является

выпрямитель

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

в какое состояние перейдет устройство

Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является

инвертор

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение

осуществление оперативного обмена с внешней средой

формирование сигналов управления силовой частью

преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

ФИУ – формирователь импульсов управления

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

выключатели высокого напряжения

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

низкая частота коммутации

низкие динамические характеристики

зависимость частоты коммутации от тока нагрузки

зависимость частоты коммутации от входного напряжения

К аппаратам низкого напряжения не относятся

шунтирующие реакторы

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const

 

Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут

транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)

транслироваться в блок датчиков Д

обрабатываться непосредственно в блоке БОИ

транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА

К аппаратам высокого напряжения не относятся

аппараты автоматического регулирования

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

БОИ – блок обработки информации

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

непрерывные

импульсные

Не существует следующего вида модуляций

дискретно-импульсная

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

токовый режим с выключением по тактовому сигналу

При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const

 

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

порядка 0,1 А

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

режим подачи отрицательного напряжения для прямого смещения эмиттерного перехода

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

 

при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки

при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки

Принципы построения ФИУ не зависят от

конструктивного исполнения полупроводникового прибора

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

низкое входное сопротивление затвора

 

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

независимость амплитуды импульса управления от скважности

независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

непосредственной гальванической связи

Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется

совместная передача энергии и формы управляющего сигнала

раздельная передача энергии и информационного сигнала

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится

потенциальная развязки информационного сигнала

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет

от 10 до 20 мА

Для реализации идеального управляющего импульса необходимо

использовать нелинейную обратную связь между входом и выходом

чтобы ФИУ соответствовал источнику тока, а не напряжения

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

отрицательным напряжением обратного смещения

В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный

низковольтный быстродействующий МДП-транзистор

Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется

путем размыкания его эмиттерной цепи

Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает

возможность передачи непрерывных сигналов информации

высокую помехозащищенность передачи

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

пропорциональное изменение базового тока транзистора с изменением тока нагрузки

постоянный ток затвора управления транзистором при изменении тока нагрузки

постоянный базовый ток управления транзистором при изменении тока нагрузки

пропорциональное изменение тока затвора транзистора с изменением тока нагрузки

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера

Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к

форме сигнала управления

мощности сигнала управления

форме питающего напряжения

частоте питающего напряжения

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа

прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

снижения мощности, потребляемой ФИУ

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся

ограниченный выходной ток драйвера

низкая рассеиваемая мощность в драйвере

высокий уровень выходного тока драйвера

оптимизация разводки печатной платы

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают

низкочастотный диод

быстродействующий диод

шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости

шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости

К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся

для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение

для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

силовые биполярные транзисторы

СИТ — транзисторы

полевые транзисторы с изолированным затвором

биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:

полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от

конструкции преобразовательного устройства

Система управления электронными ключами не предназначена для

преобразования переменного напряжения в постоянное

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

генератор пилообразного напряжения (ГПН)

фазосдвигающее устройство (ФСУ)

компаратор (К)

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать

количество каналов, равное

произведению фазности на число периодов выпрямителя

Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие

в инверторном режиме

только в выпрямительном режиме

в выпрямительном режиме

Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе

управляемых транзисторных генераторов

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

обратно пропорционален периоду следования импульсов

обратно пропорционален длительности открытого состояния ключа

прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

2π / 3

Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна

быть замкнутой

иметь отрицательную обратную связь

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией

содержится

четыре формирователя импульсов управления (ФИУ)

два формирователя импульсов управления (ФИУ)

два распределителя импульсов (РИ)

В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов

Выберите один или несколько ответов:

устройства синхронизации (С)

компаратора (К)

генератора пилообразного напряжения (ГПН)

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

в три раза превышает частоту питающей сети

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией

частота на выходе задающего генератора (ЗГ)

 

в два раза превышает выходную частоту инвертора

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

через устройство синхронизации С на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

контур отрицательной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)

Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения

в шесть раз превышает выходную частоту инвертора

Пульсность выпрямителя

прямо пропорциональна частоте пульсации

прямо пропорциональна частоте питающего напряжения

обратно пропорциональна частоте питающего напряжения

обратно пропорциональна частоте пульсации

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Выберите один или несколько ответов:

две системы управления инверторным режимом (СУИР)

три системы управления инверторным режимом (СУИР)

две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)

три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

в три раза превышает частоту питающей сети

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

включает в работу распределитель импульсов (РИ)

обнуляет содержимое счетчика импульсов (СИ)

включает в работу генератор эталонной частоты (ГЭЧ)

В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится

генератора пилообразного напряжения (ГПН)

фазосдвигающее устройство (ФСУ)

нуль-орган (НО)

Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит

три генератора пилообразного напряжения

один синхронизатор

один генератор пилообразного напряжения

три синхронизатора

Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями

фазоимпульсный

вертикальный

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)

 

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

обратно пропорционален числу витков дросселя

прямо пропорционален напряженности магнитного поля сердечника

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

влияние паразитных элементов монтажа

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

приближают сигнальные проводники к силовым шинам

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

увеличение площади соединительных контуров

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

плавкие предохранители общего назначения

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются

перекрестно к противоположным монтажным шинам схемы

Главным достижением развития современных силовых ключей является

объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

величины защитной емкости

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

возрастает мощность потерь

ухудшаются частотные и динамические свойства прибора

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

одновременно увеличивать параметры M и N

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитываютследующие особенности

наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности

Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются

уменьшение влияния паразитных элементов монтажа

Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют

уменьшают индуктивную связь между проводниками

гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

с большой индукционной составляющей

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

управляет работой компаратора

Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

величины дополнительной индуктивности

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

короткое замыкание цепи нагрузки

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют

дополнительные элементы, обеспечивающие снятие накопленной энергии

дополнительные элементы, шунтирующие нагрузку

Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью

одножильных проводов

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

силовые ключи с внешними системами защиты и управления

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

конденсатор

Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO

параллельно включают демпфирующую RCD — цепь

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами

повреждение силового ключа

Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют

внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя

 

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

прямо пропорциональна величине напряжения источника питания

обратно пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока

Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с

синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала

пониженным до долей вольта выходным напряжением

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

малое количество силовых ключей

простота реализации схем управления

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

холодильники

кондиционеры

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

при нулевом значении напряжения

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

мощные полевые транзисторы (MOSFET)

симисторы (триаки)

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

однооперационные тиристоры

симисторы (триаки)

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

ограничению скорости нарастания тока на аноде в режиме включения ключа

обеспечению безопасной траектории в режиме выключения ключа в рамках заданной ОБР

Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются

тиристорные ключи

IGBT транзисторы

В резонансных силовых преобразователях

коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе

паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

низкий уровень коммуникационных потерь

низкое быстродействие переключения

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

сварочных аппаратах

В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является

наличие длительных многократных перегрузок по току

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

обратноходовые

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют

запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

линиях электропередач

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц

симисторы (триаки)

тиристоры (SCR)

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц

мощные полевые транзисторы (MOSFET)

Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит

полумостовой инвертор

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются

прямоходовые

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя

К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится

обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,

прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока

прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП — транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня

 

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна:

Выберите один ответ:

произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации

 

 

Особенностью силовых МОП -транзисторов является

Выберите один ответ:

высокое входное сопротивление и высокое быстродействие

 

Основные преимущества IGBT транзистора по сравнению с полевым транзистором

Выберите один ответ:

низкий ток коммутации

высокое входное сопротивление

высокие частотные характеристики

меньшее напряжение в открытом состоянии

 

 

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *